Как известно, JEDEC обещает закончить разработку спецификаций DDR5 SDRAM и NVDIMM-P в будущем году. Появление модулей оперативной памяти DDR5, являющейся естественным развитием DDR4, в продаже ожидается только в 2019 году. Однако компания Rambus уже сообщила, что работает в своих лабораториях с первыми в отрасли наборами микросхем для соответствующих модулей DIMM. В Rambus рассчитывают первыми выйти на рынок новой памяти в сотрудничестве с производителями модулей.
Новая память будет поддерживать скорости передачи данных до 6,4 Гбит/с, что позволит удвоить пропускную способность модулей — с нынешних 25,6 ГБ/с, обеспечиваемых DDR4, до 51,2 ГБ/с. При этом напряжение питания будет понижено с 1,2 до 1,1 В. В отличие от модулей DDR4, полагающихся на получение нужного напряжения от системной платы, модули DDR5 обзаведутся собственными регуляторами напряжения.
Изменения в подсистеме памяти на стороне процессоров будут включать увеличение максимального числа каналов встроенных контроллеров с 12 до 16, обеспечивая возможность подключения до 128 ГБ памяти.
Пока неясно, насколько высоким будет ценовой порог перехода на новое поколение DRAM для конечных пользователей. Нынешний рост цен на микросхемы DRAM пока не дает поводов для оптимизма.