Samsung разработала микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гбит, которая позволит создавать модули ОЗУ объёмом 128 ГБ

Производство стартует в конце года

Компания Samsung представила микросхемы оперативной памяти DDR5 ёмкостью 32 Гбит, то есть объёмом 4 ГБ.  

Такие микросхемы позволят создавать модули ОЗУ объёмом 128 ГБ. Известно, что речь идёт об использовании техпроцесса 12-нанометрового класса. Массовое производство таких микросхем запланировано на конец текущего года, то есть модули объёмом 128 ГБ могут появиться уже в начале следующего года. 

Samsung в своём пресс-релизе также отмечает, что с 1983 года ёмкость DRAM выросла в 500 000 раз. Та же Samsung разработала свои первые микросхемы ОЗУ ёмкостью 64 Кб именно в 1983 году.