Micron увеличивает выпуск DDR4 DRAM по нормам 1z нм

Это обозначение соответствует диапазону 12-14 нм

Со ссылкой на отраслевые источники сайт DigiTimes сообщил, что компания Micron наращивает производство памяти DDR4 DRAM по нормам 1z нм. Это обозначение соответствует диапазону 12-14 нм, а соответствующий техпроцесс является наиболее передовым, освоенным в серийном производстве DRAM. Рост спроса на эту память преимущественно связан с выпуском модулей DRAM объемом 16 ГБ для настольных компьютеров и ноутбуков.

Одновременно Micron ощущает рост заказов на чипы DRAM, выпускаемые по нормам 1y нм (14-16 нм), поскольку спрос на память в обозримой перспективе будет  увеличиваться.

По словам источника, хотя уже появляется память DDR5 и поддерживающие ее системы, увеличение выпуска памяти DDR4 по нормам 1z нм, предпринимаемое Micron, имеет смысл, поскольку подавляющее большинство потребностей рынка пока связано именно с DDR4. Кроме того, Micron, вероятно, рассчитывает использовать опыт, накопленный на производстве по нормам 1z нм, для первых изделий DDR5, которые будут выпускаться исключительно по этой технологии.