Что необходимо знать при покупке PC100 SDRAM


После появления на рынке материнских плат, собранных на основе чипсета i440ВХ, начался новый виток скорости в мире х86-компьютеров. С появлением этого чипсета скорость системной шины перешагнула 66 (а для некоторых — и все 83 Mhz), и взяла новый барьер — 100 Mhz. А у армии оверклокеров впереди заманчиво замаячили значения 103,112,124 и 133 Mhz. Компьютерная индустрия бурно отреагировала на новые веяния и практически каждая уважающая себя компания-производитель в срочном порядке сделала материнскую плату на i440BX. Выпуск фирмой Intel процессоров Сeleron, а позже и его старшего брата — Mendocino, вроде бы рассчитанных на частоту шины 66 Mhz, и никакого отношения не имеющего к чипсету BX, только подогрел гонку вооружений в стане любителей разгона. Выяснилось, что эти процессоры, несмотря на предусмотрительно блокированный фирмой Intel коэффициент умножения, прекрасно могут разгоняться путем увеличения частоты системной шины, причем, до совершенно фантастических значений. Хотя процессоры Pentium II, теоретически, в значительно меньшей степени подвержены разгону из-за проблем с L2-кэш-памятью, все равно можно найти разгоняемые серии этих процессоров.

Все это привело к тому, что большинство процессоров, применяемых в компьютерах в настоящий момент, стабильно работает при частоте системной шины 100 МГц, иногда — 112 Mhz, а некоторые экземпляры даже на частотах 124 и 133 MHz.

Вот здесь-то и стали возникать трудности с памятью. Старая добрая SDRAM еще более или менее могла работать на частотах 100 и 103 Mhz, но дальше уже начинались проблемы…

Именно поэтому Intel была разработана спецификация PC100, которая очертила довольно жесткий круг требований по производству чипов памяти, а также разводке и структуре модулей DIMM. Intel даже выпустил generic board PC100 SDRAM. С обзором этой спецификации вы можете ознакомиться на нашем сайте здесь. Ее ключевые моменты также приведены ниже:

  • Определенная минимальная и максимальная длина пути для каждого сигнала в модуле
  • Определенная ширина дорожек и расстояние между ними
  • 6-слойные платы с отдельными сплошными слоями "масса" и "питание"
  • Жестко заданное расстояние между слоями
  • Строгое определение длины пути тактового импульса, его маршрутизации, момента начала и окончания
  • Наличие подавляющих резисторов в цепях передачи данных
  • Детальная спецификация всех компонентов модуля

Правда, несмотря на довольно жесткие требования спецификации PC100, совершенно не обязательно в срочном порядке менять свою память при покупке материнской платы на чипсете BX, так как большинство простой SDRAM, как уже говорилось выше, может успешно работать на пограничных частотах 100 и 103 Mhz. Для тестирования работоспособности вашей SDRAM в разогнанной системе, а также для выявления ошибок в подсистеме памяти мы рекомендуем использовать утилиту, которую также можно скачать с нашего сайта отсюда.

В этой же статье мы попытаемся внести ясность в вопрос выбора наилучшей PC100 памяти, наиболее стабильно работающей при разгоне системы.

Итак, основные требования спецификации PC100 распространяются на чипы и собственно разводку модулей. По поводу разводки платы DIMM — вопрос довольно сложный, хотя большинство модулей, которые я видел, имели более или менее одинаковый дизайн, возможно из-за того, что все они производились на основе generic-дизайна, предложенного Intel. Потому, в принципе, при покупке можно попросить показать вам модули обычной SDRAM и кандидата на PC100 SDRAM, и если они имеют идентичную разводку платы — то это подделка. Хотя бы потому, что плата модуля DIMM, изготовленного по спецификации PC100, должна иметь не менее 6 слоев в отличии от обычного модуля, который имеет 2 слоя. Однако, к сожалению, количество слоев определить визуально довольно трудно. Ниже, на картинке изображен обычный модуль PC100 SDRAM.

Обычный модуль PC100 SDRAM

Также необходимо иметь в виду, что DIMM должен иметь не более 24 чипов. Дело в том, что модули, содержащие большее количество микросхем (обычно 32), часто оказываются неработоспособными с рядом материнских плат.

НаклейкаКроме того, на модуле PC100 SDRAM должна быть специальная наклейка с маркировкой вида РС100-abc-def, где:

  • a — обозначает минимальное CAS Latency, то есть число циклов (на 100 МГц), проходящих с момента запроса данных сигналом CAS до их появления на выводах модуля. Может быть 2 или 3. 2, естественно, означает, что этот модуль более быстрый
  • b — это минимальное время RCD (RAS to CAS Delay) в циклах, означающее необходимую паузу между сигналами RAS и CAS. Обычно, это 2.
  • c — минимальное время в циклах RP (RAS Precharge) — пауза между командами, обычно это 2.
  • d — максимальное время AC (Access from Clock) в наносекундах, обычно 6, 65 или 7. Лучше, естественно, 6, но и модули с tAC=7, теоретически, могут работать в одно- или двухбанковых системах
  • e — ревизия SPD
  • f — всегда 0

Таким образом, наиболее типичная маркировка PC100-322-620 означает, что при 100MHz CAS Latency = 3, tRCD = 2, tRP = 2, tAC = 6ns, SPD Rev. = 1.2. Собственно, на наклейке может быть указано и PC133 или любая другая частота вместо PC100. Это лишь означает, что параметры, выражающиеся в тактах часов, указанные буквами a, b и c приводятся при другой частоте.

Теперь несколько слов относительно чипов. Основные параметры, которые интересуют нас при выборе памяти - это значение сигнала CAS и так называемое время доступа, хоть это определение и ошибочно. Согласно спецификации PC100, 8-наносекундная память должна иметь значения tCK = 8ns и tAC = 6ns, а 10-наносекундная память — tCK = 10ns и tAC = 6ns. Собственно говоря, 8ns-память также называют PC125. А 7-нановая память, в зависимости от других параметров, может быть как PC133 (tCK = 7.5ns, tAC = 5.4ns), так и PC143 (tCK = 7ns, tAC = 5.4ns).

Cразу хочу сделать небольшое отступление, касаемое так называемых чипов памяти со временем доступа 6 или 7ns. В данный момент несколько фирм имеют в своем арсенале подобные микросхемы памяти, но они не производят на их основе модулей и не предпологают производить в ближайшее время. Более того, некоторые фирмы, которые ранее собирались производить подобную память, отказались от этой идеи в пользу новых, более перспективных технологий DDR SDRAM и SDR SDRAM. Однако, очень часто слышны восторженные крики типа "я купил память 7 ns!". Увы, это всегда неправда. Как правило, это заблуждение происходит при покупке памяти от LGS с маркировкой -7k или -7j. На самом же деле, это — в принципе неплохая память, но со временем доступа 10ns. Так что, при попытке продать вам память с уверениями о том, что она имеет время доступа 7ns или 6ns знайте, что это — либо обман, либо незнание продавцом своего товара.

Так какие же чипы вам нужны -8 или 10ns, работающие с CAS2 или CAS3? Это довольно сложный вопрос — вам предстоит сделать выбор между скоростью и надежностью: для 10ns чипов максимальная частота (согласно спецификации) — 100 Mhz, a для 8ns чипов максимальная частота (согласно спецификации) — 125 Мhz. Однако, при этом большинство 10ns чипов работают с CAS2, а 8ns — c CAS3. Параметры CAS жестко связаны с максимальной частотой работы чипа — чем меньше значение CAS, тем на меньшей частоте может стабильно работать чип (по крайней мере, согласно официальным документам :).

Что касается различий в скорости работы системы при использовании модулей с CAS2 и CAS3, то они минимальные. Ниже приведены результаты тестов. В составе испытательной системы были использованы следующие комплектующие:

  • Процессоры Intel Pentium II 400, Intel Celeron 266 и Intel Celeron 300A
  • Системная плата Chaintech 6BTM
  • Видеокарты Chaintech Desperado AGP-740D на чипе i740 и ASUS V3400TNT на чипе Riva TnT
  • 128 Мбайт PC-100 SDRAM Samsung
  • Жесткий диск Quantum Fireball EX 3.4 Гбайта

Использовались следующие приложения:

  • Операционная система Windows98
  • WinStone99
  • Quake2 massive1, работающий через OpenGL в разрешении 800x600

Как нетрудно заметить, влияние CAS2 или CAS3 заметно хоть как-то только с безкэшовым процессором Celeron, да и то максимальное различие в производительности по WinStone99 всего 3%. В случае же, когда процессор оснащен кэшем второго уровня, это различие практически нулевое. Так что гнаться за CAS2 вряд ли имеет смысл.

Однако, все же лучше, если материнская плата позволяет выставлять параметр CAS в BIOS вручную, так как при установке этого значения автоматически, зачастую просто происходит считывание его из SPD модуля DIMM, что может привести к использованию системной платой CAS2, когда для успешной работы при разгоне необходимо значение CAS3. То же самое относиться и к параметрам RCD (SDRAM CAS to RAS Delay) и RP (SDRAM RAS Precharge Time). Вместе с параметром CAS, они составляют так называемый тайминг памяти и записываються в виде 3-2-2 (CAS-RCD-RP).

Далее, мы приводим данные по некоторым чипам PC100 SDRAM на которых собраны наиболее часто встречающиеся в продаже модули DIMM. Префикс (первые буквы) в маркировке чипов идентифицируют производителя чипа. Таблица соответствий префиксов и фирм-производителей приведена ниже.

Производитель Префикс Производитель Префикс
Fujitsu MB Hitachi HM
Hyundai HY IBM IBM
LG Semicon GM Micron MT
Mitsubishi M5M Mosel Vitelic V
NEC µPd Oki MSM
Samsung KM Siemens HYB
Texas Instruments TMS Toshiba TC

SAMSUNG (SEC)

Эта фирма одной из первых получила сертификат PC100 от Intel и имеет наиболее широкую гамму PC100-чипов, да и самих модулей DIMM. В частности, у этой фирмы имеются и легендарные чипы -G7 (7ns SDRAM PC143), появившиеся самыми первыми с такими характеристиками на рынке памяти. Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере KM48S8030BT-L/H/8/G8 (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-L - 3-2-2 2-2-2
-H - 2-2-2 2-2-2
-8 3-3-3 3-2-2 2-2-2
-G8 3-3-3 3-2-2 3-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-L - - 3-2-2 3-2-2 3-2-2
-H 2-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-8 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-G8 3-2-2 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2

MICRON

Эта фирма отличилась тем, что, фактически, производит только 8ns PC100 SDRAM-чипы. Наибольшую распространенность получили чипы с маркировкой -8с. Не могу не упомянуть также тот факт, что крупнейшим OEM-покупателем чипов Micron в нашей стране является фирма Формоза, которая в дальнейшем собирает из них модули DIMM. Сейчас в продаже имеется много модулей памяти, собранных на чипа -8e. Но чипы памяти -8e бывают двух видов: с марккировкой B4 и A2 (подробности см. в FAQ). Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере MT48LC8M8A2-8C/8E (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-8C 3-2-2 3-2-2 2-2-2
-8E (A2) 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-8E (B4) 3-2-2 2-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-8C 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-8E (A2) 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-8E (B4) - 2-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2

LG Semicondactors (LGS)

Чипы данной фирмы наделали преполох своей маркировкой -7j/7k у 10-нановых чипов, видимо, поэтому фирма совершенно недавно выпустила новую линейку своих чипов с маркировкой -8 (8ns PC125 тайминг 3-3-3), -75 (7ns PC133 тайминг 3-3-3) -7 (7ns PC143 тайминг 3-3-3), но в данный момент их найти в продаже невозможно.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере GM72V66841CT-7J/7K (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-7J - 3-2-2 2-2-2
-7K - 2-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-7J - 3-2-2 3-2-2 3-2-2 2-2-2
-7K - 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2

HYUNDAI

Фирма Hyundai также не удержалась от участия в гонке вооружений и недавно выпустила новую серию чипов HY57V658020BTC, в которой, помимо стандартных аналогов чипов HY57v658020ATC-8/10p/10s, содержится и чип с маркировкой -75 (PC133 тайминг 3-3-3). При покупке обязательно обращайте внимание на то, чтобы последние три буквы были ATC или BTC, так как Hyundai маркирует не PC-100 память аналогично, с отличием только в этих трех буквах.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере HY57v658020ATC-8/10P/10S (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-8 3-3-3 2-2-2 2-2-2
-10p - 2-2-2 2-2-2
-10s - 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-8 3-3-3 3-3-3 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-10p - 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-10s - - 3-2-2 2-2-2 2-2-2

NEC

Стандартная память типа PC-100 SDRAM, разве что стоит обратить внимание на чипы с маркировкой -A80. Среди 8 нс памяти они имеею весьма хорошие характеристики.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере mPD4564841GS-A80/A10-9JF (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-A80 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-A10 - 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-A80 3-3-3 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-A10 - 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2

TOSHIBA

Стандартный набор для PC100 памяти с 8 и 10 ns доступом.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере TC59S6408BTF-80/10 (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-80 3-3-3 3-2-2 2-2-2
-10 - 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-80 3-3-3 3-3-3 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-A10 - - 3-2-2 2-2-2 2-2-2

MITSUBISHI

Первоначальная серия PС100 совместимой памяти, имеющая на конце маркировки буквы ATP, сейчас заменяется на другую серию — BTP, в ней добавлено две новые модели, но также как и в старой серии максимальная рабочая частота осталась на уровне 125 Mhz. Следует иметь в виду, что новые модели этой памяти имеют маркировку 7/7L, но это по-прежнему 10ns память!

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере M2V64S30ATP-8/8L/8A (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-8/8L - 3-2-2 2-2-2
-8A 3-3-3 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-8/8L - 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-8A 3-3-3 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2

SIEMENS

Стандартная PC100 память с максимальной частотой 125 Mhz. Только чипы с маркировкой -8 — это настоящая 8ns память. Чипы же с маркировкой -8B — это обычная 10 ns память.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере HYB39S64800AT-8/8B (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-8 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-8B - 3-2-3 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-8 - 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-8B - - 3-2-2 3-2-2 2-2-2

FUJITSU

В данный момент старая серия PC100 памяти заменяется на новую, причем это происходит оперативно так, что вы можете встретить на рынке обе серии. Старая серия MB81F64842B-103FN работает только с CAS3 при частоте 100 Mhz. Новая же серия MB81F64842C-102/103FN может работать и с CAS2, но вся эта память — 10ns.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере MB81F64842C-102/103FN (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-102FN - 2-2-2 2-2-2
-103FN - 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-102FN - - 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-103FN - - 3-2-2 2-2-2 2-2-2

HITACHI

Фирма имеет в своем портфеле стандартный набор чипов. В первой серии это были 10 ns чипы HMXXXXXX -B60/A60, но позже вышла новая серия HMXXXXXX — 80/10 содержащая 8 ns версии. На данный момент чаще всего встречаються модули изготовленные на основе чипов серии -B60/A60.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере HM5264805DTT-A60/B60 (8mb*8):

  100MHz83MHz
-A602-2-22-2-2
-B603-2-23-2-2

Протестированные параметры:

  112MHz103MHz100MHz
-A602-2-22-2-22-2-2
-B603-2-23-2-23-2-2

NPNX

Наконец то удалось найти сайт этой фирмы . Выпускаються на данный момент две серии чипов новая NN5264XXX -80/10 (8ns и 10 ns) и старая которую чаще всего можно встретить в продаже NN5264XXX -B60 из за своей маркировки часто ошибочно называемая 6 ns памятью на самом деле это обычная 10 ns память .

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере NN5264805 -B60 (8mb*8):

  100MHz83MHz
-B603-2-22-2-2

Протестированные параметры:

  112MHz103MHz100MHz
-B603-2-22-2-22-2-2

Надеюсь, что эта небольшая статья поможет вам сделать выбор новой памяти для вашего ПК. Собранные данные о работе чипов на разных частотах конечно же не полные и могут варьироваться от системы к системе, потому по мере сбора статистики данный материал может быть расширен и дополнен. В этой статье, конечно, рассмотрены не все выпускающиеся на данный момент чипы PC100 SDRAM памяти, в ближайшее время мы постараемся расширить наш список. Также мы будем благодарны нашим читателям за посильный вклад в его развитие.

В заключение приведем итоговую таблицу с официальными параметрами CAS различных чипов памяти.

Маркировка Произв. NS Mhz 143 Mhz 125 Mhz 112 Mhz 100 Mhz 83 Mhz 75 Mhz 66 Mhz
HM 264805DTT -A60 Hitachi 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
HM 264805DTT -B60 Hitachi 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3
MB 8UV64B4C -102T-S Fujitsu 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
MB 8UV64B4C -103T-S Fujitsu 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3
IBM 13N16644HC -260T IBM 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
IBM 13N16644HC -360T IBM 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3
HY 57V658020ATC -8 Hyundai 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
HY 57V658020ATC -10P Hyundai 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
HY 57V658020ATC -10S/10 Hyundai 10ns 100 - - - CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
GM 72V66841CT/CLT -7k/-7J LGS 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
GM 72V66841CT/CLT -8 LGS 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
GM 72V66841CT/CLT -10K LGS 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
MT 48LC8M8A2TG -8D/-8E Micron 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
MT 48LC8M8A2TG -8A/B/C Micron 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
MT 48LC8M8A2TG -10 Micron 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
M2 V64S30BTP -8/8L Mitsubishi 10ns 100 - - - CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
M2 V64S30BTP -8A Mitsubishi 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
M2 V64S30BTP -10L/10 Mitsubishi 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
v 43648So4VTG -10PC Mosel Vit. 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
v 43648So4VTG -8PC Mosel Vit. 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
µPD 4564841G5 -A80-9JF NEC 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
µPD 4564841G5 -A80 NEC 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
µPD 4564841G5 -A10-9JF NEC 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2
NN 5264XXX -B60 NPNX 10ns 100 - - - CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
NN 5264XX5TT -10 NPNX 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
NN 5264XX5TT -80 NPNX 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
MK 31VT864A -8YC OKI 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
KM 48S8030CT -G7/-F7 Samsung 7ns 143 CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
KM 48S8030CT -G8/-F8 Samsung 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
KM 48S8030CT -GH/-FH Samsung 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
KM 48S8030CT -10 Samsung 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2
HYB 39S64800AT -8 Siemens 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
HYB 39S64800AT -8B Siemens 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
HYB 39S64800AT -10 Siemens 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
TMS XXXXXX -8 Texas Ins. 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
TMS 664XX4 -8A Texas Ins. 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
TMS 664XX4 -10 Texas Ins. 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
TC 59S6408BTF -10 Toshiba 10ns 100 - - - CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
TC 59S6408BTF -80 Toshiba 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2


FAQ

А почему ничего не написано про память от Texas Instruments?

Чипы фирмы TI не были представленны в статье так как все производство памяти Texas Instruments было купленно фирмой Micron. Так что имеющиеся на рынке модули, собранные на чипах TI это последние ласточки.

Почему ничего не написано о памяти SDRAM, рассчитанной на 166 MHz?

Многие говорят что видели на сайтах фирм производителей памяти информацию о 166 MHz SDRAM. Да, такая память есть, но она разработана исключительно для применения в видеокартах и не может быть использована для создания DIMM (хотя чем черт не шутит :-))

Так что же мне купить?

В статье специально не давались рекомендации о покупке конкретной памяти. Это чисто информативный материал, чтобы пользователям было легче выбрать необходимую ему память. Но поскольку вопросы "А что же все-таки брать?" постоянно возникают, то мы советуем вам в первую очередь обратить внимание на 8 ns память, у которой при 100MHz параметр CAS=2.

Что это за память MT48LC8M8B4 — 8e ? По маркировке вроде Micron, но в спецификациях ее нет.

Как нам ответил тех саппорт фирмы Micron, память имеющая маркировку B4 это PC100 SDRAM, производящаяся по технологии и на заводах TI, купленных Micron. Эта память будет производиться до конца весны, пока все производства TI не будут переведены на технологические процессы Micron.

Фактически это память TI, ранее маркировавшаяся как -8 и по своим характеристикам очень близкая к чипам -8е фирмы Micron. Родные чипы Micron имеют маркировку A2 (MT48LC8M8A2 — 8e).





Дополнительно

Руководство по PC100 SDRAM

Что необходимо знать при покупке PC100 SDRAM

После появления на рынке материнских плат, собранных на основе чипсета i440ВХ, начался новый виток скорости в мире х86-компьютеров. С появлением этого чипсета скорость системной шины перешагнула 66 (а для некоторых — и все 83 Mhz), и взяла новый барьер — 100 Mhz. А у армии оверклокеров впереди заманчиво замаячили значения 103,112,124 и 133 Mhz. Компьютерная индустрия бурно отреагировала на новые веяния и практически каждая уважающая себя компания-производитель в срочном порядке сделала материнскую плату на i440BX. Выпуск фирмой Intel процессоров Сeleron, а позже и его старшего брата — Mendocino, вроде бы рассчитанных на частоту шины 66 Mhz, и никакого отношения не имеющего к чипсету BX, только подогрел гонку вооружений в стане любителей разгона. Выяснилось, что эти процессоры, несмотря на предусмотрительно блокированный фирмой Intel коэффициент умножения, прекрасно могут разгоняться путем увеличения частоты системной шины, причем, до совершенно фантастических значений. Хотя процессоры Pentium II, теоретически, в значительно меньшей степени подвержены разгону из-за проблем с L2-кэш-памятью, все равно можно найти разгоняемые серии этих процессоров.

Все это привело к тому, что большинство процессоров, применяемых в компьютерах в настоящий момент, стабильно работает при частоте системной шины 100 МГц, иногда — 112 Mhz, а некоторые экземпляры даже на частотах 124 и 133 MHz.

Вот здесь-то и стали возникать трудности с памятью. Старая добрая SDRAM еще более или менее могла работать на частотах 100 и 103 Mhz, но дальше уже начинались проблемы…

Именно поэтому Intel была разработана спецификация PC100, которая очертила довольно жесткий круг требований по производству чипов памяти, а также разводке и структуре модулей DIMM. Intel даже выпустил generic board PC100 SDRAM. С обзором этой спецификации вы можете ознакомиться на нашем сайте здесь. Ее ключевые моменты также приведены ниже:

  • Определенная минимальная и максимальная длина пути для каждого сигнала в модуле
  • Определенная ширина дорожек и расстояние между ними
  • 6-слойные платы с отдельными сплошными слоями "масса" и "питание"
  • Жестко заданное расстояние между слоями
  • Строгое определение длины пути тактового импульса, его маршрутизации, момента начала и окончания
  • Наличие подавляющих резисторов в цепях передачи данных
  • Детальная спецификация всех компонентов модуля

Правда, несмотря на довольно жесткие требования спецификации PC100, совершенно не обязательно в срочном порядке менять свою память при покупке материнской платы на чипсете BX, так как большинство простой SDRAM, как уже говорилось выше, может успешно работать на пограничных частотах 100 и 103 Mhz. Для тестирования работоспособности вашей SDRAM в разогнанной системе, а также для выявления ошибок в подсистеме памяти мы рекомендуем использовать утилиту, которую также можно скачать с нашего сайта отсюда.

В этой же статье мы попытаемся внести ясность в вопрос выбора наилучшей PC100 памяти, наиболее стабильно работающей при разгоне системы.

Итак, основные требования спецификации PC100 распространяются на чипы и собственно разводку модулей. По поводу разводки платы DIMM — вопрос довольно сложный, хотя большинство модулей, которые я видел, имели более или менее одинаковый дизайн, возможно из-за того, что все они производились на основе generic-дизайна, предложенного Intel. Потому, в принципе, при покупке можно попросить показать вам модули обычной SDRAM и кандидата на PC100 SDRAM, и если они имеют идентичную разводку платы — то это подделка. Хотя бы потому, что плата модуля DIMM, изготовленного по спецификации PC100, должна иметь не менее 6 слоев в отличии от обычного модуля, который имеет 2 слоя. Однако, к сожалению, количество слоев определить визуально довольно трудно. Ниже, на картинке изображен обычный модуль PC100 SDRAM.

Обычный модуль PC100 SDRAM

Также необходимо иметь в виду, что DIMM должен иметь не более 24 чипов. Дело в том, что модули, содержащие большее количество микросхем (обычно 32), часто оказываются неработоспособными с рядом материнских плат.

НаклейкаКроме того, на модуле PC100 SDRAM должна быть специальная наклейка с маркировкой вида РС100-abc-def, где:

  • a — обозначает минимальное CAS Latency, то есть число циклов (на 100 МГц), проходящих с момента запроса данных сигналом CAS до их появления на выводах модуля. Может быть 2 или 3. 2, естественно, означает, что этот модуль более быстрый
  • b — это минимальное время RCD (RAS to CAS Delay) в циклах, означающее необходимую паузу между сигналами RAS и CAS. Обычно, это 2.
  • c — минимальное время в циклах RP (RAS Precharge) — пауза между командами, обычно это 2.
  • d — максимальное время AC (Access from Clock) в наносекундах, обычно 6, 65 или 7. Лучше, естественно, 6, но и модули с tAC=7, теоретически, могут работать в одно- или двухбанковых системах
  • e — ревизия SPD
  • f — всегда 0

Таким образом, наиболее типичная маркировка PC100-322-620 означает, что при 100MHz CAS Latency = 3, tRCD = 2, tRP = 2, tAC = 6ns, SPD Rev. = 1.2. Собственно, на наклейке может быть указано и PC133 или любая другая частота вместо PC100. Это лишь означает, что параметры, выражающиеся в тактах часов, указанные буквами a, b и c приводятся при другой частоте.

Теперь несколько слов относительно чипов. Основные параметры, которые интересуют нас при выборе памяти - это значение сигнала CAS и так называемое время доступа, хоть это определение и ошибочно. Согласно спецификации PC100, 8-наносекундная память должна иметь значения tCK = 8ns и tAC = 6ns, а 10-наносекундная память — tCK = 10ns и tAC = 6ns. Собственно говоря, 8ns-память также называют PC125. А 7-нановая память, в зависимости от других параметров, может быть как PC133 (tCK = 7.5ns, tAC = 5.4ns), так и PC143 (tCK = 7ns, tAC = 5.4ns).

Cразу хочу сделать небольшое отступление, касаемое так называемых чипов памяти со временем доступа 6 или 7ns. В данный момент несколько фирм имеют в своем арсенале подобные микросхемы памяти, но они не производят на их основе модулей и не предпологают производить в ближайшее время. Более того, некоторые фирмы, которые ранее собирались производить подобную память, отказались от этой идеи в пользу новых, более перспективных технологий DDR SDRAM и SDR SDRAM. Однако, очень часто слышны восторженные крики типа "я купил память 7 ns!". Увы, это всегда неправда. Как правило, это заблуждение происходит при покупке памяти от LGS с маркировкой -7k или -7j. На самом же деле, это — в принципе неплохая память, но со временем доступа 10ns. Так что, при попытке продать вам память с уверениями о том, что она имеет время доступа 7ns или 6ns знайте, что это — либо обман, либо незнание продавцом своего товара.

Так какие же чипы вам нужны -8 или 10ns, работающие с CAS2 или CAS3? Это довольно сложный вопрос — вам предстоит сделать выбор между скоростью и надежностью: для 10ns чипов максимальная частота (согласно спецификации) — 100 Mhz, a для 8ns чипов максимальная частота (согласно спецификации) — 125 Мhz. Однако, при этом большинство 10ns чипов работают с CAS2, а 8ns — c CAS3. Параметры CAS жестко связаны с максимальной частотой работы чипа — чем меньше значение CAS, тем на меньшей частоте может стабильно работать чип (по крайней мере, согласно официальным документам :).

Что касается различий в скорости работы системы при использовании модулей с CAS2 и CAS3, то они минимальные. Ниже приведены результаты тестов. В составе испытательной системы были использованы следующие комплектующие:

  • Процессоры Intel Pentium II 400, Intel Celeron 266 и Intel Celeron 300A
  • Системная плата Chaintech 6BTM
  • Видеокарты Chaintech Desperado AGP-740D на чипе i740 и ASUS V3400TNT на чипе Riva TnT
  • 128 Мбайт PC-100 SDRAM Samsung
  • Жесткий диск Quantum Fireball EX 3.4 Гбайта

Использовались следующие приложения:

  • Операционная система Windows98
  • WinStone99
  • Quake2 massive1, работающий через OpenGL в разрешении 800x600

Как нетрудно заметить, влияние CAS2 или CAS3 заметно хоть как-то только с безкэшовым процессором Celeron, да и то максимальное различие в производительности по WinStone99 всего 3%. В случае же, когда процессор оснащен кэшем второго уровня, это различие практически нулевое. Так что гнаться за CAS2 вряд ли имеет смысл.

Однако, все же лучше, если материнская плата позволяет выставлять параметр CAS в BIOS вручную, так как при установке этого значения автоматически, зачастую просто происходит считывание его из SPD модуля DIMM, что может привести к использованию системной платой CAS2, когда для успешной работы при разгоне необходимо значение CAS3. То же самое относиться и к параметрам RCD (SDRAM CAS to RAS Delay) и RP (SDRAM RAS Precharge Time). Вместе с параметром CAS, они составляют так называемый тайминг памяти и записываються в виде 3-2-2 (CAS-RCD-RP).

Далее, мы приводим данные по некоторым чипам PC100 SDRAM на которых собраны наиболее часто встречающиеся в продаже модули DIMM. Префикс (первые буквы) в маркировке чипов идентифицируют производителя чипа. Таблица соответствий префиксов и фирм-производителей приведена ниже.

Производитель Префикс Производитель Префикс
Fujitsu MB Hitachi HM
Hyundai HY IBM IBM
LG Semicon GM Micron MT
Mitsubishi M5M Mosel Vitelic V
NEC µPd Oki MSM
Samsung KM Siemens HYB
Texas Instruments TMS Toshiba TC

SAMSUNG (SEC)

Эта фирма одной из первых получила сертификат PC100 от Intel и имеет наиболее широкую гамму PC100-чипов, да и самих модулей DIMM. В частности, у этой фирмы имеются и легендарные чипы -G7 (7ns SDRAM PC143), появившиеся самыми первыми с такими характеристиками на рынке памяти. Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере KM48S8030BT-L/H/8/G8 (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-L - 3-2-2 2-2-2
-H - 2-2-2 2-2-2
-8 3-3-3 3-2-2 2-2-2
-G8 3-3-3 3-2-2 3-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-L - - 3-2-2 3-2-2 3-2-2
-H 2-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-8 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-G8 3-2-2 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2

MICRON

Эта фирма отличилась тем, что, фактически, производит только 8ns PC100 SDRAM-чипы. Наибольшую распространенность получили чипы с маркировкой -8с. Не могу не упомянуть также тот факт, что крупнейшим OEM-покупателем чипов Micron в нашей стране является фирма Формоза, которая в дальнейшем собирает из них модули DIMM. Сейчас в продаже имеется много модулей памяти, собранных на чипа -8e. Но чипы памяти -8e бывают двух видов: с марккировкой B4 и A2 (подробности см. в FAQ). Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере MT48LC8M8A2-8C/8E (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-8C 3-2-2 3-2-2 2-2-2
-8E (A2) 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-8E (B4) 3-2-2 2-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-8C 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-8E (A2) 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-8E (B4) - 2-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2

LG Semicondactors (LGS)

Чипы данной фирмы наделали преполох своей маркировкой -7j/7k у 10-нановых чипов, видимо, поэтому фирма совершенно недавно выпустила новую линейку своих чипов с маркировкой -8 (8ns PC125 тайминг 3-3-3), -75 (7ns PC133 тайминг 3-3-3) -7 (7ns PC143 тайминг 3-3-3), но в данный момент их найти в продаже невозможно.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере GM72V66841CT-7J/7K (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-7J - 3-2-2 2-2-2
-7K - 2-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-7J - 3-2-2 3-2-2 3-2-2 2-2-2
-7K - 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2

HYUNDAI

Фирма Hyundai также не удержалась от участия в гонке вооружений и недавно выпустила новую серию чипов HY57V658020BTC, в которой, помимо стандартных аналогов чипов HY57v658020ATC-8/10p/10s, содержится и чип с маркировкой -75 (PC133 тайминг 3-3-3). При покупке обязательно обращайте внимание на то, чтобы последние три буквы были ATC или BTC, так как Hyundai маркирует не PC-100 память аналогично, с отличием только в этих трех буквах.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере HY57v658020ATC-8/10P/10S (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-8 3-3-3 2-2-2 2-2-2
-10p - 2-2-2 2-2-2
-10s - 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-8 3-3-3 3-3-3 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-10p - 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-10s - - 3-2-2 2-2-2 2-2-2

NEC

Стандартная память типа PC-100 SDRAM, разве что стоит обратить внимание на чипы с маркировкой -A80. Среди 8 нс памяти они имеею весьма хорошие характеристики.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере mPD4564841GS-A80/A10-9JF (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-A80 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-A10 - 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-A80 3-3-3 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-A10 - 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2

TOSHIBA

Стандартный набор для PC100 памяти с 8 и 10 ns доступом.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере TC59S6408BTF-80/10 (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-80 3-3-3 3-2-2 2-2-2
-10 - 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-80 3-3-3 3-3-3 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-A10 - - 3-2-2 2-2-2 2-2-2

MITSUBISHI

Первоначальная серия PС100 совместимой памяти, имеющая на конце маркировки буквы ATP, сейчас заменяется на другую серию — BTP, в ней добавлено две новые модели, но также как и в старой серии максимальная рабочая частота осталась на уровне 125 Mhz. Следует иметь в виду, что новые модели этой памяти имеют маркировку 7/7L, но это по-прежнему 10ns память!

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере M2V64S30ATP-8/8L/8A (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-8/8L - 3-2-2 2-2-2
-8A 3-3-3 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-8/8L - 3-2-2 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-8A 3-3-3 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2

SIEMENS

Стандартная PC100 память с максимальной частотой 125 Mhz. Только чипы с маркировкой -8 — это настоящая 8ns память. Чипы же с маркировкой -8B — это обычная 10 ns память.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере HYB39S64800AT-8/8B (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-8 3-2-2 2-2-2 2-2-2
-8B - 3-2-3 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-8 - 3-2-2 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-8B - - 3-2-2 3-2-2 2-2-2

FUJITSU

В данный момент старая серия PC100 памяти заменяется на новую, причем это происходит оперативно так, что вы можете встретить на рынке обе серии. Старая серия MB81F64842B-103FN работает только с CAS3 при частоте 100 Mhz. Новая же серия MB81F64842C-102/103FN может работать и с CAS2, но вся эта память — 10ns.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере MB81F64842C-102/103FN (8mb*8):

  125 MHz 100 MHz 83 MHz
-102FN - 2-2-2 2-2-2
-103FN - 3-2-2 2-2-2

Протестированные параметры:

  133 MHz 124 MHz 112 MHz 103 MHz 100 MHz
-102FN - - 2-2-2 2-2-2 2-2-2
-103FN - - 3-2-2 2-2-2 2-2-2

HITACHI

Фирма имеет в своем портфеле стандартный набор чипов. В первой серии это были 10 ns чипы HMXXXXXX -B60/A60, но позже вышла новая серия HMXXXXXX — 80/10 содержащая 8 ns версии. На данный момент чаще всего встречаються модули изготовленные на основе чипов серии -B60/A60.

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере HM5264805DTT-A60/B60 (8mb*8):

  100MHz83MHz
-A602-2-22-2-2
-B603-2-23-2-2

Протестированные параметры:

  112MHz103MHz100MHz
-A602-2-22-2-22-2-2
-B603-2-23-2-23-2-2

NPNX

Наконец то удалось найти сайт этой фирмы . Выпускаються на данный момент две серии чипов новая NN5264XXX -80/10 (8ns и 10 ns) и старая которую чаще всего можно встретить в продаже NN5264XXX -B60 из за своей маркировки часто ошибочно называемая 6 ns памятью на самом деле это обычная 10 ns память .

Официальные параметры (CAS-RCD-RP) на примере NN5264805 -B60 (8mb*8):

  100MHz83MHz
-B603-2-22-2-2

Протестированные параметры:

  112MHz103MHz100MHz
-B603-2-22-2-22-2-2

Надеюсь, что эта небольшая статья поможет вам сделать выбор новой памяти для вашего ПК. Собранные данные о работе чипов на разных частотах конечно же не полные и могут варьироваться от системы к системе, потому по мере сбора статистики данный материал может быть расширен и дополнен. В этой статье, конечно, рассмотрены не все выпускающиеся на данный момент чипы PC100 SDRAM памяти, в ближайшее время мы постараемся расширить наш список. Также мы будем благодарны нашим читателям за посильный вклад в его развитие.

В заключение приведем итоговую таблицу с официальными параметрами CAS различных чипов памяти.

Маркировка Произв. NS Mhz 143 Mhz 125 Mhz 112 Mhz 100 Mhz 83 Mhz 75 Mhz 66 Mhz
HM 264805DTT -A60 Hitachi 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
HM 264805DTT -B60 Hitachi 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3
MB 8UV64B4C -102T-S Fujitsu 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
MB 8UV64B4C -103T-S Fujitsu 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3
IBM 13N16644HC -260T IBM 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
IBM 13N16644HC -360T IBM 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3
HY 57V658020ATC -8 Hyundai 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
HY 57V658020ATC -10P Hyundai 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
HY 57V658020ATC -10S/10 Hyundai 10ns 100 - - - CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
GM 72V66841CT/CLT -7k/-7J LGS 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
GM 72V66841CT/CLT -8 LGS 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
GM 72V66841CT/CLT -10K LGS 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
MT 48LC8M8A2TG -8D/-8E Micron 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
MT 48LC8M8A2TG -8A/B/C Micron 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
MT 48LC8M8A2TG -10 Micron 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
M2 V64S30BTP -8/8L Mitsubishi 10ns 100 - - - CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
M2 V64S30BTP -8A Mitsubishi 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
M2 V64S30BTP -10L/10 Mitsubishi 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
v 43648So4VTG -10PC Mosel Vit. 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
v 43648So4VTG -8PC Mosel Vit. 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
µPD 4564841G5 -A80-9JF NEC 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
µPD 4564841G5 -A80 NEC 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
µPD 4564841G5 -A10-9JF NEC 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2
NN 5264XXX -B60 NPNX 10ns 100 - - - CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
NN 5264XX5TT -10 NPNX 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
NN 5264XX5TT -80 NPNX 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
MK 31VT864A -8YC OKI 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
KM 48S8030CT -G7/-F7 Samsung 7ns 143 CAS3 CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
KM 48S8030CT -G8/-F8 Samsung 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
KM 48S8030CT -GH/-FH Samsung 10ns 100 - - - CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
KM 48S8030CT -10 Samsung 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2
HYB 39S64800AT -8 Siemens 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
HYB 39S64800AT -8B Siemens 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
HYB 39S64800AT -10 Siemens 10ns 100 - - - CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
TMS XXXXXX -8 Texas Ins. 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2
TMS 664XX4 -8A Texas Ins. 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
TMS 664XX4 -10 Texas Ins. 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS3 CAS2
TC 59S6408BTF -10 Toshiba 10ns 100 - - - CAS3 CAS2 CAS2 CAS2
TC 59S6408BTF -80 Toshiba 8ns 125 - CAS3 CAS3 CAS2 CAS2 CAS2 CAS2


FAQ

А почему ничего не написано про память от Texas Instruments?

Чипы фирмы TI не были представленны в статье так как все производство памяти Texas Instruments было купленно фирмой Micron. Так что имеющиеся на рынке модули, собранные на чипах TI это последние ласточки.

Почему ничего не написано о памяти SDRAM, рассчитанной на 166 MHz?

Многие говорят что видели на сайтах фирм производителей памяти информацию о 166 MHz SDRAM. Да, такая память есть, но она разработана исключительно для применения в видеокартах и не может быть использована для создания DIMM (хотя чем черт не шутит :-))

Так что же мне купить?

В статье специально не давались рекомендации о покупке конкретной памяти. Это чисто информативный материал, чтобы пользователям было легче выбрать необходимую ему память. Но поскольку вопросы "А что же все-таки брать?" постоянно возникают, то мы советуем вам в первую очередь обратить внимание на 8 ns память, у которой при 100MHz параметр CAS=2.

Что это за память MT48LC8M8B4 — 8e ? По маркировке вроде Micron, но в спецификациях ее нет.

Как нам ответил тех саппорт фирмы Micron, память имеющая маркировку B4 это PC100 SDRAM, производящаяся по технологии и на заводах TI, купленных Micron. Эта память будет производиться до конца весны, пока все производства TI не будут переведены на технологические процессы Micron.

Фактически это память TI, ранее маркировавшаяся как -8 и по своим характеристикам очень близкая к чипам -8е фирмы Micron. Родные чипы Micron имеют маркировку A2 (MT48LC8M8A2 — 8e).