Компания Samsung может начать массовое производство новых чипов с использованием 2-нанометрового технологического процесса в 2025 году, о чем пишет gizmochina.
В этом 2-нм техпроцессе будет использоваться технология затворных транзисторов (Gate-All-Around, GAA) следующего поколения, причем в 2025 году стартует не тестовое, а уже массовое производство. Сначала Samsung продемонстрирует эту технологию на предстоящих отраслевых конференциях.
GAA представляет собой новую конструкцию транзистора, которая повышает эффективность и производительность за счет лучшего прохождения тока. Компания Samsung впервые представила технологию GAA в своем 3-нм техпроцессе, но пока технология используется только в чипах Exynos собственного производства. По сравнению с 5-нм чипами, 3-нм чип GAA первого поколения обеспечивает значительные улучшения производительности и энергоэффективности, при этом площадь чипа сокращается.
Для начала Samsung планирует начать массовое производство чипов с использованием 3-нм технологии GAA второго поколения позднее в 2024 году. Хотя их основной конкурент, TSMC, еще не внедрил технологию GAA, ожидается , что обе компании, а также Intel будут использовать ее в своих будущих 2-нм процессах.