Сегодня компания Samsung Electronics объявила о том, что её новейшая оперативная память LPDDR5X прошла проверку на достижение самой высокой в отрасли скорости 8,5 Гбит/с и может использоваться с платформами Snapdragon.
По словам Дэниела Ли, исполнительного вице-президента группы планирования продуктов памяти Samsung Electronics, появление памяти LPDDR5X DRAM с такой скоростью — результат долгосрочного партнёрства Samsung и Qualcomm.
Зиад Асгар, вице-президент по управлению продуктами Qualcomm Technologies, подтвердил, что Qualcomm станет первой компанией в мобильной индустрии, добавившей поддержку LPDDR5X со скоростью 8,5 Гбит/с в свою мобильную платформу Snapdragon.
Он добавил, что для пользователей новая память от Samsung обеспечит лучшую производительность в играх, при обработке изображений и в приложениях искусственного интеллекта.
Как ожидается, грядущая однокристальная система Snapdragon 8 Gen2 первой получит поддержку Samsung LPDDR5X DRAM со скоростью 8,5 Гбит/с.
:no_upscale()/https://cdn.ixbt.site/ixbt-data/yuGmRMxW4K/covers/AwA2PNbYg66e3bDN7ghXSkd0DZ4cx3s2fwpHKg8Q.jpg)
:no_upscale()/https://cdn.ixbt.site/ixbt-data/GVe0PhOdYK/covers/kVA6QF1ZmKfl08hra17PkA1BBbllt1PDwRYwBg35.jpg)
:no_upscale()/https://cdn.ixbt.site/ixbt-data/XqLYPIPaNn/covers/AFK4AIfsxpFMORjzUrlQuETagIIRRsUAJmyRXggC.jpg)
13 комментариев
Добавить комментарий
8500*64/8 = 68ГБ/сек.
64 — разрядность шины в битах. Как правило максимум для смартфона.
А если взять стандартную пкшную 128 битную шину? Ведь данную память можно и в ноутбук.
уже 136ГБ/сек.
NVMe на PCI-E 4.0 даёт 8ГБ/сек
Полноценный х16 слот, даст 32ГБ/сек.
И даже PCI-E 5.0 х16, даст всего 64ГБ/сек.
И это при задержках в ПЗУ на порядок(ки) больше, нежели у ОЗУ.
То 8,5 Это на 1 линию, шины данных.
И вы ошиблись, контроллер памяти снапа 64 битный. Т.е. имеет 4 канала по 16бит каждый. Суммарно 64 битная шина. (понятное дело речь про снап 8 gen 2)
16бит/линий. По спецификации LPDDR5, это на весь модуль памяти. Где кстати может быть более 1 чипа.
Добавить комментарий