Samsung произвела 1 трлн ГБ памяти более чем за 40 лет. Половина это объёма выпущена за три года

Samsung остаётся лидером в области DRAM и NAND уже 30 и 20 лет соответственно

На мероприятии Samsung Tech Day 2022 президент Samsung Electronics и глава подразделения, которое занимается модулями памяти, Чон Бэ Ли сказал, что Samsung произвела в общей сложности 1 триллион ГБ памяти более чем за 40 лет, при это около половины этого объёма было выпущено за последние три года.

Samsung заявила, что остаётся лидером в области DRAM и NAND на протяжении 30 и 20 лет соответственно. В настоящее время компания разрабатывает DRAM 10-нанометрового класса (1b) пятого поколения, а также «вертикальную» память NAND восьмого и девятого поколений (V-NAND), обещая продолжать предоставлять самую мощную комбинацию технологий памяти в следующем десятилетии.

По словам Чон Бэ Ли, достижения в области пропускной способности, ёмкости и энергоэффективности памяти породили новое поколение платформ, что в свою очередь стимулировало появление новых полупроводниковых инноваций. При этом Samsung будет стремиться к более высоким уровням цифровой эволюции.

Samsung подтвердила свою главную цель — придерживаться клиентоориентированной философии развития, расширяя партнёрские отношения. Samsung откроет Исследовательский центр памяти Samsung (SMRC), где клиенты и партнёры смогут тестировать и проверять решения памяти и программного обеспечения Samsung в различных серверных средах. Начиная с открытия первого SMRC в Южной Корее в четвёртом квартале этого года, Samsung планирует продолжить работу с партнёрами по экосистеме, такими как Red Hat и Google Cloud, чтобы открыть больше центров в США и по всему миру.