Samsung анонсировала память DDR5-7200 МГц, особенностью которой является не только высокая частота, но и очень плотная компоновка чипов. Применение восьмислойных чипов вместо четырёхслойных, а также уменьшение расстояния между ними, позволило довести объём одного модуля DIMM до 512 ГБ.
Samsung вполне естественно говорит о том, что новая память будет предлагаться не только в больших вариантах объёма, но ещё и с большей энергоэффективностью, но это и так понятно, ведь напряжение DDR5 составляет 1,1 В против 1,2 В у DDR4.
А вот когда анонсированные модули памяти объёмом 0,5 ТБ появятся в продаже, пока не сообщается. Но на потребительском рынке в ближайшей перспективе их точно можно не ждать.