Компания SK Hynix рассказала в своем блоге о памяти DDR5, которую она разрабатывает, рассчитывая начать выпуск в этом году. Среди особенностей новой памяти можно выделить максимальную эффективную частоту 8400 МГц. Самая низкая частота, предусмотренная стандартом, равна 3200 МГц, но производители планируют начать с DDR5-4800. Минимальная плотность одного кристалла DDR5 составляет 8 Гбит, а максимальная - 64 Гбит, что в четыре раза превышает показатель DDR4.
Число банков по сравнению с DDR4 увеличено вдвое — с 16 в 4 группах до 32 в 8 группах. Удвоена и максимальная длина пакета (объем данных, передаваемых по одной команде чтения или записи) — с 8 до 16, за счет чего увеличена пропускная способность. Повысить скорость также помогает функция Same Bank Refresh, позволяющая проводить регенерацию не во всех банках сразу (в этот момент обращение к памяти невозможно), а только в определенном банке во всех группах банков. За счет этого прогнозируется повышение производительности на 6-9%. Еще одно важное изменение, помимо повышения емкости и скорости, это добавление ECC на уровне кристалла. Наконец, напряжение питания понижено с 1,2 В до 1,1 В, что привело к снижению потребляемой мощности примерно на 20%.
