Уже через два года Samsung начнёт производство полупроводниковой продукции по техпроцессу 3 нм

С использованием технологии GAAFET

Как сообщает источник, компания Samsung рассказала о планах на развитие своих полупроводниковых технологий.

Уже в 2021 году компания намерена начать производство продукции с использованием трёхнанометрового техпроцесса с технологией GAAFET (Gate All Around FET). Технология GAA находится в разработке ещё с 2000 года. Транзисторы GAA имеют четыре затвора, что позволяет преодолеть физические ограничения по масштабированию.

О планах по внедрению GAAFET корейский гигант говорил ещё в мае 2017 года, но тогда говорилось о техпроцессе 4 нм и 2020 году. Источник отмечает, что тогда специалисты выразили сомнения, что Samsung сможет начать производство по новой технологии ранее 2022 года, но, если ориентироваться на данные источника, это всё-таки произойдёт в 2021 году.

Подробностей о том, какая именно продукция первой перейдёт на новый техпроцесс, нет.