Samsung уже разрабатывает технологию MBCFET, которая сменит FinFET на этапе 3 нм

Компания Samsung Electronics в ходе ежегодного мероприятия Samsung Foundry Forum опубликовала план освоения норм техпроцесса вплоть до 3 нм.

Он включает разработку техпроцессов 7LPP (7 нм, Low Power Plus), 5LPE (5 нм Low Power Early), 4LPE / LPP (4 нм, Low Power Early / Plus) и технологии 3GAAE / GAAP (3 нм Gate-All-Around Early / Plus).

Samsung уже разрабатывает технологию MBCFET, которая сменит FinFET на этапе 3 нм

Техпроцесс 7LPP станет первым, на котором Samsung начнет использовать для выпуска полупроводниковой продукции литографию в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). По словам компании, этот техпроцесс будет готов к производству во второй половине 2018 года. Техпроцесс 5LPE станет развитием 7LPP и позволит повысить размеры кристаллов и уменьшить энергопотребление.

Техпроцессы 4LPE / LPP станут последними, когда Samsung рассчитывает использовать структуру транзисторов FinFET. Далее предполагается переход к технологии GAA, позволяющей преодолеть физические ограничения, свойственные FinFET. Компания Samsung уже разрабатывает собственный вариант GAA, получивший обозначение MBCFET (multi-bridge-channel FET).

16 комментариев

жду новые чипы для консолей на 7LPP (7 нм, Low Power Plus)в 2021 году

Ответить

Если так далеко публикует планы, значит дела с 7 нм. совсем плохие.

Как логично и глубокомысленно.

По словам компании, этот техпроцесс будет готов к производству во второй половине 2018 года.

Время покажет. Говорить — одно, сделать — другое. Остается вопрос — что именно они будут производить по этой (7LPP) технологии?
Вопрос не спроста, ведь Интелу до сих пор не удалось победить даже 10нм для своих процессоров.

Вообще-то я задал конкретный вопрос и даже намекнул сравнивая с Интелом. Вы читаете по диагонали?

да как минимум размер кристалла. отбраковка с мелкого чипа на 7нм будет НАМНОГО меньше, чем от очень большого чипа на 10нм

Поэтому мне и стало интересно, что именно они будут выпускать по этой технологии! Или Вы читаете по диагонали как и NetBUG_ICC?
Минусатору большой привет. Хоть бы объяснился.

ну вроде на ARM они специализируются

Площадь кристалов топовых чипов на х86 и АРМ: i7-6700 123 мм, i7-7700 126 мм, Эксиноса 9810 119 мм.

Intel со своей x86 архитектурой давно менее прибыльный рынок имеет. Они будут и дальше отставать от Samsung и TSMC.

В каком плане они будут отставать?

Проблем с производством 10-нм полупроводников можно было бы избежать, если бы Intel увеличивала плотность размещения элементов вровень с индустрией — на уровне 1,5-2 кратного роста плотности размещения элементов на кристаллах по сравнению с предыдущим техпроцессом. Но в компании захотели большего. Рост плотности при переходе с 14 нм на 10 нм установили на уроне 2,7 крат (при переходе с 22 нм на 14 нм компания увеличила плотность в 2,4 раза и тоже столкнулась с высоким уровнем брака). Кусок оказался больше, чем Intel смогла проглотить

За экранами на пузе уже приползли художники твоей иконы, теперь еще и за процессорами на новом тех процессе будут ползать :) Но ты пока смазывай флюгер, а то сорвет

Ответ Blaser на комментарий

Четчайшая суперлогика. Если много пьёт, значит трезвенник, а если дырка в кармане, то запасливый.

А Apple не анонсировала разработку новой кнопки?

Это через чур амбициозно. Анонсировали отказ от кнопок — убирать проще

Samsung уже разрабатывает технологию MBCFET, которая сменит FinFET на этапе 3 нм

Компания Samsung Electronics опубликовала план освоения норм техпроцесса вплоть до 3 нм

16 комментариев

Добавить комментарий

Добавить комментарий

Все новости за сегодня

Календарь