По данным отраслевых источников, китайская компания Fujian Jin Hua Integrated Circuit (JHICC) в июле завершит установку оборудования на фабрике микросхем памяти DRAM, что позволит приступить к серийному выпуску продукции в третьем квартале этого года.
Изначально пробный выпуск продукции на первой очереди производства планировалось начать в сентябре 2018 года, но строительство идет с опережением сроков. Отметим, что церемония закладки фундамента фабрики, рассчитанной на пластины диаметром 300 мм, состоялась в ноябре прошлого года.
![Fujian Jin Hua Integrated Circuit начнет выпуск DRAM в этом году](/img/x780/n1/news/2018/3/2/bb9bc274-c856-4a3c-adff-c4265b010d7c_large.jpg)
Компания JHICC разрабатывает технологию производства DRAM совместно с партнером — тайваньской компанией UMC. Средства в размере 5,3 млрд долларов, необходимые для постройки фабрики, выделил город в провинции Фуцзянь, где расположено предприятие.