По данным отраслевых источников, китайская компания Fujian Jin Hua Integrated Circuit (JHICC) в июле завершит установку оборудования на фабрике микросхем памяти DRAM, что позволит приступить к серийному выпуску продукции в третьем квартале этого года.
Изначально пробный выпуск продукции на первой очереди производства планировалось начать в сентябре 2018 года, но строительство идет с опережением сроков. Отметим, что церемония закладки фундамента фабрики, рассчитанной на пластины диаметром 300 мм, состоялась в ноябре прошлого года.
Компания JHICC разрабатывает технологию производства DRAM совместно с партнером — тайваньской компанией UMC. Средства в размере 5,3 млрд долларов, необходимые для постройки фабрики, выделил город в провинции Фуцзянь, где расположено предприятие.