Компания Toshiba Memory Corporation сообщила о создании прототипа микросхемы 96-слойной флэш-памяти BiCS FLASH с объемной компоновкой. Каждая ячейка этой памяти хранит три бита информации. Ознакомительные образцы микросхем 96-слойной флэш-памяти 3D TLC NAND плотностью 256 Гбит должны появиться во втором полугодии, а серийный выпуск производитель рассчитывает начать в 2018 году.
Как утверждается, новая память подходит для потребительских и корпоративных SSD, смартфонов, планшетов и карт памяти.
В планах производителя — выпуск 96-слойных микросхем плотностью 512 Гбит и внедрение технологии QLC, позволяющей хранить в каждой ячейке четыре бита.
По сравнению с 64-слойной памятью BiCS FLASH удельная плотность хранения увеличена на 40%. Это позволяет изготавливать больше памяти из одной пластины и уменьшить стоимость в расчете на бит.
Выпуск 96-слойной памяти BiCS FLASH планируется освоить на фабрике Fab 5, открытой примерно год назад фабрике Fab 2 и на фабрике Fab 6, которая должна заработать летом будущего года.
Источник: Toshiba