Отмечая двадцать лет с момента изобретения специалистами IBM Research магниторезистивной памяти, компания IBM рассказала о последнем достижении в этой области.
Специалистам IBM и Samsung удалось продемонстрировать хорошую масштабируемость памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), уменьшив ее ячейку до 11 нм. Изменение состояния ячейки выполняется всего за 10 нс, а потребляемый при этом ток составляет 7,5 мкА. О достижении рассказано в альманахе IEEE Magnetic Letters.
Ячейку MRAM можно представить как пару магнитов с изолирующим слоем между ними. Если полярность магнитов совпадает, считается, что в ячейке записан «0», в противном случае — «1». Один магнит имеет постоянную полярность, а направление намагниченности второго можно менять, записывая информацию.
К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и способность хранить информацию в отсутствие питания, что делает ее универсальной заменой памяти DRAM и NAND.
Источник: IBM