Несмотря на то, что с момента появления на рынке самой производительной однокристальной системы для смартфонов Snapdragon 820 прошло совсем немного времени, в Сети уже вовсю обсуждают характеристики следующих SoC данной линейки.
О Snapdragon 823 мы впервые говорили в новостях, связанных с Samsung Galaxy Note 6 и Xiaomi Mi Note 2. Эта SoC, которая изготавливается с использованием 14-нм техпроцесса LPP, должна быть анонсирована уже в текущем квартале. Изначально ее должны были назвать Snapdragon 821, но затем переименовали в Snapdragon 823. Четыре ядра Kryo 100 будут работать на повышенных частотах, в SoC будет использоваться те же GPU Adreno 530 и модем X12 LTE с поддержкой LTE Cat 12 и LTE Cat 13, что и в Snapdragon 820. Источники говорят о поддержке технологии быстрой зарядки Quick Charge 3.0 и максимальной скорости передачи данных 600 Мбит/с.
Следующей на очереди должна стать SoC Snapdragon 828, при изготовлении которой будет применяться 10-нм техпроцесс FF. Сколько ядер будет включать данная однокристальная система, пока точно неизвестно, источники лишь утверждают, что речь идет о Kryo 200. Роль GPU будет выполнять Adreno 519, в состав SoC войдет тот же модем X12 LTE. Adreno 519 позволит записывать видеоролики в разрешении 4K x 2K при 60 к/с, а SoC будет поддерживать память LPDDR4X. Анонс Snapdragon 828 ожидается в четвертом квартале 2016.
Snapdragon 830, как и Snapdragon 828, будет использовать тот же техпроцесс, поддерживать память LPDDR4X и включать неизвестное количество ядер Kryo 200. Сообщается, что SoC получит более производительный GPU Adreno 540 и позволит записывать ролики в разрешении 4K x 2K при 60 к/с. SoC будет поддерживать максимальную скоростью загрузки 980 Мбит/с.
Анонс Snapdragon 830 также ожидается в конце года, а первые смартфоны, которые будут использовать последние две SoC, появятся уже в начале 2017.