Вчера компании Intel и Micron представили новую энергонезависимую память 3D Xpoint — первую действительно новую категорию памяти за последние 25 лет, если верить сайту Intel.
![Intel и Micron 3D Xpoint](http://www.ixbt.com/short/images/2015/Jul/3D_XPoint_Die-671x362.jpg)
По заявлению разработчиков, 3D Xpoint быстрее памяти NAND на три порядка (в 1000 раз). При этом она настолько же долговечнее, а также в 10 раз превосходит по плотности обычную память DRAM.
В первую очередь Intel и Micron позиционируют новую разработку в качестве решений для систем, работающих с большими объёмами данных (центры обработки данных и прочее). Но, если верить пресс-релизу, 3D Xpoint доберётся и до потребительского сегмента.
Архитектура для новой памяти была разработана с нуля без использования транзисторов. Структуру 3D Xpoint, как утверждает Intel, можно представить в виде своеобразной шахматной доски, на которой ячейки памяти располагаются на пересечении разрядной шины и числовой шины (отсюда и название памяти). Это позволяет считывать и записывать данные небольшими объёмами, что повышает эффективность работы памяти.
![Intel и Micron 3D Xpoint](http://www.ixbt.com/short/images/2015/Jul/Intel-3D-XPoint-671x362.png)
Помимо этого, архитектура позволяет реализовать многослойную структуру, что повышает плотность памяти. В частности, первое поколение памяти 3D Xpoint позволяет создавать микросхемы плотностью 128 Гбит, включающие в себя два слоя по 64 Гбит. В дальнейшем технология будет совершенствоваться, что позволит создавать ещё более плотную память с большим количеством слоёв.
![Intel и Micron 3D Xpoint](http://www.ixbt.com/short/images/2015/Jul/3dxpoint1_02.jpg)
Производство памяти 3D Xpoint начнётся уже в текущем году, а первые устройства на основе данной технологии можно ожидать на рынке в начале следующего. Скорее всего, в первую очередь это будут продукты для серверного сегмента. О стоимости и о техпроцессе производства пока ничего не сообщается.