Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Наши предыдущие исследования в этой категории были посвящены модулям Corsair DDR2-667UL, DDR2-1000 и ADATA DDR2-800, а в настоящей статье мы рассмотрим очередное предложение высокоскоростной категории от Super Talent — 2-ГБ пару модулей DDR2-800.Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Super Talent Technology Corporation
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля:
www.supertalent.com/SuperTalentMemory/products/product_guide.php?catlog=Desktop
www.supertalent.com/Home/ru.php (русскоязычное зеркало)Внешний вид модуля
Фото модуля памяти
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2, как и какая-либо техническая документация на данную серию модулей, на сайте производителя отсутствует. На странице краткого описания продукта указывается, что продукт с Part Number T800UX2GC4 представляет собой двухканальный набор «разогнанных» модулей DDR2-800 суммарным объемом 2 ГБ (2 x 1ГБ) с конфигурацией модулей 128M x 64. Модули функционируют в указанном режиме при таймингах 4-3-4-8, какая-либо информация о питающем напряжении отсутствует, в связи с чем будем подразумевать, что модули способны функционировать в таком режиме при стандартном напряжении 1.8 В.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 50h | 5.00 нс (200.0 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 3Ch | 15.0 нс 4, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 2.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 3Ch | 15.0 нс 4, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 28h | 45.0 нс 10.67, CL = 5 10.67, CL = 4 8, CL = 3 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 4, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 2.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 2.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 37h, 00h | 55.0 нс 14.67, CL = 5 14.67, CL = 4 11, CL = 3 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 28, CL = 5 28, CL = 4 21, CL = 3 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | B3h | 179 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 00h, 43h, 41h, 54h, 44h, 00h, 00h, 00h | Неверно («CATD») |
| Part Number модуля | 73-90 | 00h...00h | Не определено |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 06h, 01h | 2006 год, 1 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Содержимое SPD модулей выглядит достаточно странно. По этим данным, модули поддерживают три величины задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Однако и первому (CL X), и второму (CL X-1) значению соответствует одна и та же величина периода синхросигнала, равная 3.75 нс (частота 266.7 МГц, т.е. режим DDR2-533). Т.е. получается, что рассматриваемые модули как бы являются модулями DDR2-533(!) — даже не DDR2-667, не говоря уж о DDR2-800. По нашим многочисленным исследованиям модулей памяти DDR2 можно сказать, что такой безответственный подход к программированию содержимого SPD можно встретить нечасто. Тем не менее, вернемся к рассмотрению содержимого SPD модулей Super Talent. Третьему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2), как и следовало ожидать, соответствует большая величина периода синхросигнала, равная 5.0 нс (т.е. режим DDR2-400). Схемы основных таймингов для первых двух случаев (режим DDR2-533) могут быть записаны как 5-4-4-11 (с округлением) и 4-4-4-11 (с округлением), соответственно, а для последнего (DDR2-400) — 3-3-3-8. Нетрудно заметить, что такие тайминги весьма далеки от заявленных «4-3-4-8» для режима DDR2-800.
Среди прочих особенностей можно отметить немного увеличенное значение минимального времени цикла регенерации (tRFC = 105 нс), более типичное для «обычных», нежели высокоскоростных модулей памяти DDR2. Данные SPD содержат верный номер ревизии SPD (1.2) и даже дату изготовления модулей (1-я неделя 2006 года). В то же время, идентификационный код производителя указан неверно (если рассматривать его «буквенную составляющую» — значения 43h, 41h, 54h и 44h, получается некая аббревиатура «CATD», непонятно как относящаяся к реальному производителю), а также отсутствуют данные о Part Number и серийном номере модулей.Конфигурации тестовых стендов
Тестовый стенд №1
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц (200.0 МГц x14)
- Чипсет: Intel 975X, частота FSB 200.0 МГц
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
- Память: 2x1024 МБ Super Talent DDR2-800
Тестовый стенд №2
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266.7 МГц x14)
- Чипсет: Intel 975X, частота FSB 266.7 МГц
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
- Память: 2x1024 МБ Super Talent DDR2-800
Тесты производительности
В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). В связи с отсутствием в SPD модулей надлежащих данных для режимов DDR2-667 и DDR2-800, в которых проводилось тестирование модулей, используемая для тестов материнская плата ASUS P5WD2-E выставила схемы таймингов, можно сказать, «наугад» — 4-5-5-14 в режиме DDR2-667 и 4-6-6-16 в режиме DDR2-800.
| Параметр | DDR2-667 | DDR2-800 | ||
|---|---|---|---|---|
| Стенд 1 | Стенд 2* | Стенд 1 | Стенд 2* | |
| Тайминги | 4-5-5-14 | 4-5-5-14 | 4-6-6-16 | 4-6-6-16 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5484 | 6574 | 5629 | 6913 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2177 | 2414 | 2258 | 2602 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6797 | 8666 | 6838 | 8955 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5672 | 4282 | 5679 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 54.6 | 47.7 | 49.5 | 44.7 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 64.1 | 55.4 | 59.1 | 52.1 |
| Минимальная латентность случайного доступа**, нс | 111.5 | 98.6 | 102.7 | 93.3 |
| Максимальная латентность случайного доступа**, нс | 135.7 | 117.7 | 125.8 | 112.1 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 84.2 | 73.8 | 75.4 | 68.8 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 110.2 | 93.3 | 102.4 | 88.6 |
| Минимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 112.0 | 99.8 | 102.9 | 94.2 |
| Максимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 137.9 | 119.6 | 130.3 | 114.0 |
*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ
Тем не менее, по приведенным выше результатам, рассматриваемые модули имеют достаточно высокие скоростные показатели (максимально достижимые величины реальной ПСП в настоящих тестах на процессорах с 2-МБ L2-кэшем близки к типичным значениям в 6.8 ГБ/с при частоте FSB 200 МГц и 9.0 ГБ/с при 266 МГц). Задержки при доступе в память (латентность памяти) также весьма невысоки — легко заметить, что они снижаются при выставлении как более высокой частоты памяти, так и более высокой частоты FSB (в последнем случае эффект ощутимее), в связи с чем наименьшие задержки достигаются в режиме DDR2-800 при частоте системной шины 266 МГц.
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
| Параметр | DDR2-667 | DDR2-800 | ||
|---|---|---|---|---|
| Стенд 1 | Стенд 2* | Стенд 1 | Стенд 2* | |
| Тайминги | 4-4-3 | 4-4-3 | 4-4-3 | 4-4-3 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5503 | 6615 | 5693 | 7017 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2294 | 2589 | 2446 | 2827 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6821 | 8726 | 6848 | 9057 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5674 | 4282 | 5684 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 54.5 | 47.5 | 49.0 | 44.2 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 64.0 | 55.1 | 58.5 | 51.5 |
| Минимальная латентность случайного доступа**, нс | 108.5 | 95.3 | 97.2 | 87.6 |
| Максимальная латентность случайного доступа**, нс | 133.0 | 114.4 | 121.2 | 106.3 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 84.0 | 72.7 | 75.1 | 68.6 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 109.8 | 93.0 | 102.4 | 87.8 |
| Минимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 109.6 | 96.4 | 98.6 | 88.4 |
| Максимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 135.8 | 116.2 | 125.1 | 108.1 |
*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ
Удивительно, но минимально достижимые тайминги в режиме DDR2-667 оказались сравнительно «средними» — всего 4-4-3 (значение последнего тайминга, tRAS, как обычно, игнорируется — его можно уменьшить вплоть до 4 без видимых изменений). Заметим, что мы использовали стандартное питающее напряжение модулей 1.8 В, т.к. производитель модулей не указывает на необходимость использования более высокого напряжения. Указанная схема таймингов относится к наилучшему случаю с точки зрения стабильности — вообще говоря, настоящие модули в режиме DDR2-667 позволяли использовать и более «жесткие» тайминги — вплоть до 3-3-3, но это сопровождалось появлением ошибок в тесте стабильности.
Еще более удивительно то, что в более скоростном режиме DDR2-800 рассматриваемые модули оказались способными устойчиво функционировать при выставлении... той же самой схемы таймингов 4-4-3 (ее эквивалент в режиме DDR2-667 составляет 3.3-3.3-2.5, что все же несколько более консервативно, чем неустойчивая конфигурация 3-3-3).
Как обычно, использование более скоростных схем таймингов позволяет несколько увеличить ПСП и снизить латентности, но нельзя сказать, что этот эффект является столь ощутимым — так, максимальное уменьшение латентности наблюдается при случайном обходе и составляет примерно 6 нс, т.е. менее 5%, а увеличение ПСП еще менее заметно, т.к. не превышает 1-2%.Итоги
Протестированные модули памяти Super Talent DDR2-800 — новое предложение на российском рынке — можно считать вполне полноправными представителями модулей памяти класса high-end. Эти модули демонстрируют вполне хорошие скоростные характеристики и «разгонный потенциал по таймингам» — они способны функционировать в режиме DDR2-800 с использованием номинального питающего напряжения 1.8 В при таймингах вплоть до 4-4-3. Единственным недостатком рассмотренных модулей является явно ненадлежащее качество содержимого SPD, относящегося к неким модулям скоростной категории DDR2-533 неизвестного производителя, что может приводить к определенным трудностям в автоматическом определении параметров их функционирования BIOS-ами материнских плат (теоретически — вплоть до полной несовместимости). С другой стороны, то обстоятельство, что модули рассчитаны на энтузиастов, по определению знакомых с ручной настройкой различных параметров системы, включая настройки подсистемы памяти, возможно, смягчает указанный недостаток.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Super Talent 2048 МБ DDR2-800 | Н/Д(0) |
модулей памяти Super Talent компанией MA LABS
