Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы исследуем очередные модули памяти DDR2 высокоскоростной категории — 2-ГБ комплект модулей DDR2-1160 Ultra Plus от GeIL.Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Golden Emperor International Ltd. (GeIL)
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.geil.com.tw/products/category/id/1Внешний вид модулей
![](memdb/geil_ddr2_1160/front_back.jpg)
![](memdb/geil_ddr2_1160/part_number.jpg)
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. На странице описания продукта указывается, что он представляет собой двухканальный комплект модулей памяти DDR2 неофициальной скоростной категории PC2-9280 со схемой таймингов 4-4-4-12, доступный в ограниченном количестве в виде 1-ГБ и 2-ГБ вариантов. Модули основаны на FBGA DDR2-микросхемах 64Mx8, сертифицированных для оверклокинга («GeIL OC Certified»). Питающее напряжение модулей выбрано рекордно высоким — 2.45 В.Данные микросхемы SPD модулей
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
---|---|---|---|
Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 50h | 5.00 нс (200.0 МГц) |
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5.0, CL = 5 3.3, CL = 4 2.5, CL = 3 |
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5.0, CL = 5 3.3, CL = 4 2.5, CL = 3 |
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 2Dh | 45.0 нс 18.0, CL = 5 12.0, CL = 4 9.0, CL = 3 |
Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.0, CL = 5 4.0, CL = 4 3.0, CL = 3 |
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 39h, 00h | 57.0 нс 22.8, CL = 5 15.2, CL = 4 11.4, CL = 3 |
Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.0, CL = 5 28.0, CL = 4 21.0, CL = 3 |
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 28h | 40 (верно) |
Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 13h | Golden Empire |
Part Number модуля | 73-90 | — | «CL4-4-4DDR2-1160» |
Дата изготовления модуля | 93-94 | 06h, 27h | 2006 год, 39 неделя |
Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Содержимое SPD модулей выглядит без особенностей. Поддерживается три значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому из них (CL X) соответствует режим DDR2-800 (время цикла 2.5 нс) со схемой таймингов 5-5-5-18, второму (CL X-1) — режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс) со схемой таймингов 4-4-4-12, третьему (CL X-2) — режим DDR2-400 (время цикла 5.0 нс) со схемой таймингов 3-3-3-9. Идентификационный код производителя и дата изготовления продукта указаны верно, Part Number представляет собой строку вида «CL4-4-4DDR2-1160», отражающую неофициальный режим работы модулей, данные о серийном номере изделия отсутствуют.
Расширения EPP, представляющие собой «нестандартную» часть SPD, представленную байтами 99-127, в рассматриваемых модулях отсутствуют.Конфигурация тестового стенда
Стенд №1
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 5200+ (Socket AM2), номинальная частота 2.6 ГГц (200 x13)
- Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
- Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0702 от 20.06.2007
Исследование модулей проводилось на платформе AMD с процессором AMD Athlon 64 X2 5200+ и материнской платой ASUS CROSSHAIR (стенд №1). Исследование проводилось в двух режимах — номинальном DDR2-800 (частота процессора 2.4 ГГц, частота шины памяти 400 МГц) и с максимальным разгоном по частоте для достижения режима DDR2-1160, рекомендованного производителем (частота процессора 2.9 ГГц, частота шины памяти 580 МГц).
Параметр | Стенд №1 | |
---|---|---|
Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2900 (290x10) |
Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 580 (1160) |
Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-18-2T, 1.8 В | 5-5-5-18-2T, 2.45 В |
Минимальные тайминги памяти, напряжение | 3-3-3-2T, 2.45 В | 4-4-4-2T, 2.45 В |
Средняя ПСП на чтение, ГБ/с, 1 ядро | 3.93 (4.10) | 4.98 (5.07) |
Средняя ПСП на запись, ГБ/с, 1 ядро | 3.30 (3.45) | 4.16 (4.28) |
Макс. ПСП на чтение, ГБ/с, 1 ядро | 7.78 (8.08) | 9.68 (9.79) |
Макс. ПСП на запись, ГБ/с, 1 ядро | 6.73 (6.76) | 8.11 (8.11) |
Средняя ПСП на чтение, ГБ/с, 2 ядра | 6.62 (6.83) | 8.45 (8.67) |
Средняя ПСП на запись, ГБ/с, 2 ядра | 4.06 (4.27) | 5.51 (5.70) |
Макс. ПСП на чтение, ГБ/с, 2 ядра | 8.56 (9.10) | 11.37 (11.71) |
Макс. ПСП на запись, ГБ/с, 2 ядра | 6.46 (6.67) | 7.92 (8.07) |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 28.1 (26.2) | 21.7 (20.9) |
Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 79.8 (73.8) | 62.3 (60.0) |
*размер блока 32 МБ
Схема таймингов, используемая материнской платой ASUS CROSSHAIR в режиме DDR2-800 по умолчанию, совпадает со значениями SPD 5-5-5-18 (при величине задержек командного интерфейса 2T, типичной для 2-ГБ комплекта). Минимально возможная схема таймингов, которую нам удалось установить при увеличении напряжения питания модулей памяти до значения 2.45 В, рекомендованного производителем — 3-3-3 (т.е. совпадает с минимально возможной для данной платформы; варьирование значение параметра tRAS, как обычно, не оказывает какого-либо влияния на функционирование подсистемы памяти). Использование такой схемы приводит к некоторому увеличению пропускной способности подсистемы памяти (до 6%) и снижению задержек (до 8%).
В неофициальном режиме «DDR2-1160», достигаемом за счет увеличения частоты FSB до 290 МГц (частота процессора 2.9 ГГц), используемая по умолчанию схема таймингов также составляет 5-5-5-18. В наших тестах, ее удалось уменьшить лишь до значений 4-4-4, соответствующих заявленным производителем модулей для этого режима, попытки их дальнейшего уменьшения приводили к немедленному сбою системы. Тем не менее, такое уменьшение схемы таймингов оказывает незначительный эффект на пропускную способность (прирост до 2%) и задержки (снижение до 4%), который оказывается меньшим, чем уменьшение таймингов с 5-5-5 до 3-3-3 в штатном режиме DDR2-800. Таким образом, достижение минимально возможной схемы таймингов в обоих случаях, по крайней мере, на рассматриваемой платформе AMD, представляет скорее теоретический, нежели практический интерес.Итоги
Рассмотренные в настоящей статье модули памяти GeIL DDR2-1160 PC2-9280 Ultra Plus Dual Channel kit проявили себя в качестве высокоскоростных модулей памяти DDR2, обладающих хорошей совместимостью с используемой в наших тестах платформой AMD «AM2». Величины производительности подсистемы памяти и задержек при доступе в память типичны для модулей памяти данной скоростной категории. Разгонный потенциал модулей по таймингам в штатном режиме DDR2-800 на сегодняшний день выглядит, скорее, привычным — минимально возможная схема таймингов 3-3-3 при увеличении питающего напряжения до рекомендованных 2.45 В. В максимальном скоростном режиме, заявленном производителем — DDR2-1160, модули оказались работоспособными при схеме таймингов 4-4-4, рекомендованной производителем для данного режима работы.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
Модули памяти GeIL DDR2-1160 PC2-9280 Ultra Plus Dual Channel kit 2 x 1ГБ (GX22GB9280PDC) | Н/Д(0) |