Нанохлопья преодолели закон Мура, открыв новый путь к созданию сверхмощных чипов

Пост опубликован в блогах iXBT.com, его автор не имеет отношения к редакции iXBT.com

Группа ученых из Городского университета Гонконга (CityUHK) представила инновационный подход к созданию электроники нового поколения, который обещает революцию в производстве чипов. Их новый метод, основанный на использовании нанопроволок и нанохлопьев разных размеров, позволяет создавать универсальные и высокопроизводительные транзисторы.


Автор: focus.ua Источник: focus.ua

Эта новая технология, разработанная для преодоления растущего энергопотребления, использует многозначную логику (MVL), которая значительно сокращает количество транзисторных компонентов и соединений на чипе. Результаты исследования подтвердили, что новые антиамбиполярные транзисторы могут одновременно реализовывать многозначные логические схемы и умножители частоты, открывая новые горизонты для создания более эффективных и мощных электронных устройств.

Профессор Джонни Хо, руководитель исследования, выразил уверенность в том, что их технология станет основой для создания многофункциональных интегральных схем и телекоммуникационных технологий следующего поколения. Это открытие открывает новые перспективы в области электроники и сокращения размеров устройств, обеспечивая при этом повышенную производительность и энергоэффективность.

«Наши исследования подтверждают, что антиамбиполярные устройства смешанной размерности предоставляют возможность разработки микросхем с высокой плотностью хранения данных и мощной обработкой информации», подчеркнул профессор Хо. «До сих пор основной тренд в разработке процессоров состоял в уменьшении их размеров в соответствии с законом Мура, согласно которому количество транзисторов на кристалле интегральной схемы удваивается каждые 24 месяца. Однако сам факт существования антиамбиполярного транзистора свидетельствует о его превосходстве над другими технологиями. Наша методика открывает новые перспективы для создания многофункциональных интегральных схем и передовых телекоммуникационных технологий следующего поколения».

Новые антиамбиполярные транзисторы смешанной размерности, созданные командой ученых из CityUHK, представляют собой значительный прорыв в области электроники, обещая революционизировать производство чипов и открыть новые возможности для развития высокотехнологичных устройств.