Kioxia объявила о выпуске устройств хранения данных Quad-Level-Cell (QLC) объемом 2 Тб

Компания Kioxia, ведущий разработчик решений в области памяти, объявила о начале поставок образцов устройств памяти Quad-Level-Cell (QLC) объемом 2 Тб с технологией 3D флеш-памяти BiCS FLASH восьмого поколения.

Новое QLC-устройство емкостью 2 Тб обладает самой высокой емкостью в отрасли, плотность битов примерно в 2,3 раза выше, а энергоэффективность записи примерно на 70 % выше, чем у текущего QLC-устройства пятого поколения компании Kioxia. В одном корпусе памяти используется стековая архитектура из 16 элементов, благодаря чему достигается рекордная в отрасли емкость в 4 ТБ.

Устройство оснащено фирменной технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array) компании Kioxia, которая позволяет создавать устройства с более высокой плотностью записи и скоростью интерфейса 3,6 Гбит/с.

В дополнение к устройству QLC объемом 2 Тб компания Kioxia также объявила о выпуске устройства памяти QLC объемом 1 Тб, предназначенного для высокопроизводительных приложений, таких как клиентские SSD и мобильные устройства. По сравнению с 2 Тб QLC, оптимизированным по емкости, 1 Тб QLC, оптимизированный по производительности, обеспечивает примерно на 30 % более высокую производительность последовательной записи и примерно на 15 % более высокую задержку чтения.

В Kioxia заявили, что новые продукты будут способствовать росту в различных сегментах приложений, включая искусственный интеллект (ИИ), и предложат новые преимущества для быстро развивающихся приложений ИИ и крупных систем хранения данных, требующих экономии энергии и дискового пространства.