Продолжается цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. В настоящей статье будут рассмотрены сразу два типа модулей памяти Samsung DDR2-667, представленных парами 256-МБ и 512-МБ образцов. Информация о производителе модулей
Производитель модулей и микросхем: Samsung Semiconductor
Сайт производителя модулей и микросхем:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/DDR2SDRAM/index.htmВнешний вид модулей
Фото модулей памяти
256-МБ модули
512-МБ модули
Фото микросхем памяти
Микросхемы 256-МБ модулей | Микросхемы 512-МБ модулей |
Part Number модулей и микросхем
Part Number модулей
Система назначения Part Number модулей памяти Samsung DDR SDRAM:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/
DDR_SDRAM_Module.pdf
256-МБ модули
Поле | Значение | Расшифровка |
---|---|---|
1 | M | Код продукта: «M» = модуль памяти |
2 | 3 | Конфигурация модуля: «3» = 4/8-байтовый DIMM |
3-4 | 78 | Разрядность и тип модуля: «78» = x64, 240-контактный Unbuffered DIMM |
5 | T | Разновидность, питающее напряжение: «T» = DDR2, 1.8 V |
6-7 | 32 | Глубина модуля: «32» = 32М |
8 | 5 | Кол-во банков в микросхемах, интерфейс, период регенерации: «5» = 4 банка, SSTL(1.8V, 1.8V), 7.8 мкс |
9 | 3 | Конфигурация микросхем: «3» = x8 |
10 | F | Поколение микросхем: «F» = 7-е поколение |
11 | G | Упаковка микросхем: «G» = FBGA |
12 | 0 | Ревизия и тип PCB: «0» = отсутствует |
13 | | (пропуск) |
14 | C | Мощность: «C» = нормальная, поддерживается саморегенерация |
15-16 | E6 | Скорость: «E6» = 3.0 нс, CL=5 |
17-18 | 0F (по данным SPD) | Особые условия (Customer List Reference) |
512-МБ модули
Поле | Значение | Расшифровка |
---|---|---|
1 | M | Код продукта: «M» = модуль памяти |
2 | 3 | Конфигурация модуля: «3» = 4/8-байтовый DIMM |
3-4 | 78 | Разрядность и тип модуля: «78» = x64, 240-контактный Unbuffered DIMM |
5 | T | Разновидность, питающее напряжение: «T» = DDR2, 1.8 V |
6-7 | 64 | Глубина модуля: «64» = 64М |
8 | 5 | Кол-во банков в микросхемах, интерфейс, период регенерации: «5» = 4 банка, SSTL(1.8V, 1.8V), 7.8 мкс |
9 | 3 | Конфигурация микросхем: «3» = x8 |
10 | F | Поколение микросхем: «F» = 7-е поколение |
11 | G | Упаковка микросхем: «G» = FBGA |
12 | 0 | Ревизия и тип PCB: «0» = отсутствует |
13 | | (пропуск) |
14 | C | Мощность: «C» = нормальная, поддерживается саморегенерация |
15-16 | E6 | Скорость: «E6» = 3.0 нс, CL=5 |
17-18 | 0F (по данным SPD) | Особые условия (Customer List Reference) |
Part Number микросхем
Система назначения Part Number микросхем памяти Samsung DDR2:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/
DDR2_code.pdf
Микросхемы 256/512-МБ модулей
Поле | Значение | Расшифровка |
---|---|---|
1 | K | Код продукта: «M» = модуль памяти |
2 | 4 | Тип продукта: «4» = DRAM |
3 | T | Подтип продукта: «T» = DDR2 SDRAM |
4-5 | 56 | Емкость: «56» = 256М |
6-7 | 08 | Логическая организация: «08» = x8 |
8 | 3 | Количество внутренних банков: «3» = 4 банка |
9 | Q | Питающий интерфейс, VDD, VDDQ: «Q» = SSTL, 1.8V, 1.8V |
10 | F | Поколение: «F» = 7-е поколение |
11 | | (пропуск) |
12 | G | Упаковка: «G» = FBGA |
13 | C | Температурный режим, энергопотребление: «C» = нормальный |
14-15 | E6 | Скорость: «E6» = DDR2-667 (333 МГц, tCL=5, tRCD=5, tRP=5) |
16 | (пусто) | Тип комплектования |
17-18 | (пусто) | Особые условия (Customer List Reference) |
Расшифровки Part Number рассматриваемых модулей и микросхем (оба модуля комплектуются одними и теми же 32Мx8 микросхемами памяти) выглядят практически безупречно, каких-либо «нестыковок» между расшифровками номеров модулей и микросхем не наблюдается. Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
- JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2.10 — Appendix X: Specific SPDs for DDR2 SDRAM (Revision 1.0)
- JC-45 Appendix X: Specific PD's for DDR2 SDRAM (Revision 1.1)
Содержимое SPD 256-МБ модулей
Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
---|---|---|---|
Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Dh | 13 (RA0-RA12) |
Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 60h | 1 физический банк |
Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 30h | 3.00 нс (333.3 МГц) |
Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс 0.5x сокращенная саморегенерация |
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 3, 4, 5 |
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 50h | 5.00 нс (200.0 МГц) |
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 3Ch | 15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3 |
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 3Ch | 15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 27h | 39.0 нс 13, CL = 5 10, CL = 4 8, CL = 3 |
Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 40h | 256 МБ |
Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3 |
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3 |
Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 36h, 00h | 54.0 нс 18, CL = 5 14, CL = 4 11, CL = 3 |
Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 4Bh, 00h | 75.0 нс 25, CL = 5 20, CL = 4 15, CL = 3 |
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 09h | 9 (верно) |
Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | CEh | Samsung |
Part Number модуля | 73-90 | | M3 78T3253FG0-CE6 0F |
Дата изготовления модуля | 93-94 | 04h, 44h | 2004 год, 44 неделя |
Серийный номер модуля | 95-98 | 45h, 05h, B3h, FFh | FFB30545h |
Содержимое SPD 512-МБ модулей
Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
---|---|---|---|
Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Dh | 13 (RA0-RA12) |
Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 30h | 3.00 нс (333.3 МГц) |
Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс 0.5x сокращенная саморегенерация |
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 3, 4, 5 |
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 50h | 5.00 нс (200.0 МГц) |
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 3Ch | 15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3 |
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 3Ch | 15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 27h | 39.0 нс 13, CL = 5 10, CL = 4 8, CL = 3 |
Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 40h | 256 МБ |
Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3 |
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3 |
Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 36h, 00h | 54.0 нс 18, CL = 5 14, CL = 4 11, CL = 3 |
Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 4Bh, 00h | 75.0 нс 25, CL = 5 20, CL = 4 15, CL = 3 |
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 09h | 9 (верно) |
Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | CEh | Samsung |
Part Number модуля | 73-90 | | M3 78T6453FG0-CE6 0F |
Дата изготовления модуля | 93-94 | 04h, 45h | 2004 год, 45 неделя |
Серийный номер модуля | 95-98 | 45h, 07h, B7h, FFh | FFB70745h |
Данные микросхемы SPD 256-МБ и 512-МБ модулей выглядят практически идентично единственное значимое различие наблюдается лишь в количестве банков, что полностью соответствует внешнему виду исследуемых образцов (256-МБ модули однобанковые, 512-МБ двухбанковые, физический банк состоит из восьми микросхем 32М x8). Модули Samsung DDR2-667 способны функционировать при трех различных величинах задержки CAS#: 5, 4 и 3. Соответствующие этим случаям временные (частотные) режимы функционирования модулей 3.0 нс (333 МГц), 3.75 нс (266 МГц) и 5.0 нс (200 МГц), а соответствующие схемы важнейших таймингов 5-5-5-13 (значение последнего тайминга tRAS, надо заметить, несколько сокращено по сравнению со «стандартным» значением 15), 4-4-4-10 (при условии округления tRAS в меньшую сторону) и 3-3-3-8 (аналогично). Из «необычностей» следует отметить использование номера новейшей ревизии SPD модулей DDR2 1.2 (еще не представленной документально на сайте JEDEC). Всевозможные номера Part Number, дата изготовления и серийный номер полностью прописаны и соответствуют действительности, что говорит о пунктуальности производителя и создает образ высокого качества продукции. Конфигурации тестовых стендов и ПО
Тестовый стенд №1
- Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 925X
- Материнская плата: Gigabyte 8ANXP-D, версия BIOS от 06/07/2004
- Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №2
- Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 925X
- Материнская плата: MSI 925X Neo, версия BIOS от 12/16/2004
- Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №3
- Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 925XE
- Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS F2 от 12/07/2004
- Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №4
- Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 925XE
- Материнская плата: Gigabyte 8AENXP-D, версия BIOS F2 от 01/04/2005
- Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №5
- Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266 МГц x14)
- Чипсет: Intel 925XE
- Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS от 12/07/2004
- Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №6
- Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266 МГц x14)
- Чипсет: Intel 925XE
- Материнская плата: Gigabyte 8AENXP-D, версия BIOS F2 от 01/04/2005
- Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c
Тесты производительности
Несмотря на отмеченную выше схему таймингов 4-4-4-10 для случая DDR2-533, полученную округлением значения tRAS в меньшую сторону, в первой серии тестов все материнские платы выставили по умолчанию (Memory Timings: «by SPD») схему 4-4-4-11. Как бы там ни было, выставленное в настройках чипсета значение последнего параметра рассматриваемыми модулями памяти, как и большинством других, игнорируется, в чем мы убедились в следующей серии тестов.
Тесты 256-МБ модулей
Параметр | Стенд 1 | Стенд 2 | Стенд 3 | Стенд 4 | Стенд 5* | Стенд 6* |
---|---|---|---|---|---|---|
Тайминги | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 4987 | 5548 | 5551 | 5570 | 6926 | 6840 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 1929 | 2017 | 1983 | 1946 | 2248 | 2252 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6474 | 6376 | 6446 | 6394 | 8214 | 8045 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4287 | 4265 | 4256 | 4287 | 5694 | 5662 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 47.7 | 50.1 | 50.3 | 50.1 | 43.0 | 43.5 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 54.4 | 57.5 | 57.7 | 57.4 | 50.3 | 50.8 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс | 117.6 | 117.8 | 118.1 | 117.1 | 105.8 | 106.6 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс | 135.2 | 135.5 | 136.1 | 134.7 | 123.3 | 124.3 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 77.9 | 78.2 | 78.5 | 77.4 | 66.4 | 67.2 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 97.9 | 96.9 | 99.1 | 96.2 | 87.0 | 87.9 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 118.5 | 118.7 | 119.1 | 117.9 | 106.4 | 107.3 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 138.5 | 138.2 | 139.1 | 137.3 | 126.0 | 127.1 |
*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ
Тесты 512-МБ модулей
Параметр | Стенд 1 | Стенд 2 | Стенд 3 | Стенд 4 | Стенд 5* | Стенд 6* |
---|---|---|---|---|---|---|
Тайминги | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 | 4-4-4-11 |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5001 | 5584 | 5586 | 5608 | 6978 | 6949 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2403 | 2418 | 2400 | 2424 | 2720 | 2673 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6484 | 6442 | 6458 | 6433 | 8288 | 8184 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4287 | 4265 | 4256 | 4287 | 5695 | 5688 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 47.6 | 50.0 | 50.2 | 49.9 | 43.0 | 43.0 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 54.4 | 57.4 | 57.5 | 57.2 | 50.2 | 50.2 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс | 116.5 | 116.7 | 117.1 | 116.1 | 104.4 | 104.6 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс | 134.3 | 134.3 | 135.1 | 133.7 | 122.0 | 121.8 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 77.9 | 78.1 | 78.3 | 77.5 | 66.4 | 66.3 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 97.8 | 96.9 | 97.2 | 96.3 | 86.7 | 86.8 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 117.3 | 117.4 | 117.8 | 116.9 | 105.0 | 105.2 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 137.1 | 137.5 | 137.5 | 136.5 | 123.8 | 124.1 |
*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ
Интересно отметить, что двухбанковые 512-МБ модули по большинству параметров (в частности, средней ПСП на чтение и запись) показывают некоторое преимущество перед однобанковыми 256-МБ образцами. Ощутимое отставание системной платы Gigabyte 8ANXP-D (стенд №1) с чипсетом i925X по величинам средней ПСП на чтение по сравнению с другими платами на чипсетах семейства i925X/XE можно объяснить использованием более ранней версией BIOS, которая, по всей вероятности, не включает «режим производительности» (PAT) контроллера памяти. Платы MSI 925X Neo (стенд №2), ECS PF21 Extreme (стенд №3) и Gigabyte 8AENXP-D (стенд №4) при функционировании на штатной частоте FSB 200 МГц показывают примерно равный результат. При функционировании двух последних с частотой системной шины 266 МГц плата ECS PF21 Extreme (стенд №5) демонстрирует небольшое преимущество над Gigabyte 8AENXP-D (стенд №6).
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью специально разработанной нами вспомогательной утилиты, которая вскоре выйдет в свет в виде отдельного приложения, поставляемого вместе с тестовым пакетом RMMA.
Тесты 256-МБ модулей
Параметр | Стенд 1 | Стенд 2 | Стенд 3 | Стенд 4 | Стенд 5* | Стенд 6* |
---|---|---|---|---|---|---|
Тайминги | 3-4-4 | 3-3-4 | 3-4-4 | 3-4-4 | 3-4-4 | 3-4-4 |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5169 | 5645 | 5593 | 5674 | 7042 | 7003 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2018 | 2254 | 2197 | 2032 | 2472 | 2292 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6506 | 6426 | 6466 | 6453 | 8245 | 8125 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4287 | 4265 | 4256 | 4287 | 5694 | 5667 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 46.0 | 48.5 | 48.8 | 48.1 | 41.3 | 41.4 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 52.3 | 55.3 | 55.6 | 54.9 | 47.9 | 48.2 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс | 114.4 | 110.4 | 115.5 | 114.2 | 102.4 | 103.4 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс | 131.8 | 129.0 | 132.8 | 131.5 | 119.8 | 121.2 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 76.0 | 75.9 | 76.8 | 75.7 | 64.0 | 64.2 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 95.4 | 95.1 | 97.3 | 94.2 | 83.3 | 83.4 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 115.3 | 111.0 | 116.2 | 114.8 | 103.4 | 103.8 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 135.1 | 130.6 | 136.4 | 134.4 | 121.4 | 122.7 |
*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ
Тесты 512-МБ модулей
Параметр | Стенд 1 | Стенд 2 | Стенд 3 | Стенд 4 | Стенд 5* | Стенд 6* |
---|---|---|---|---|---|---|
Тайминги | 3-4-4 | 3-3-4 | 3-4-4 | 3-4-4 | 3-4-4 | 3-4-4 |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5188 | 5674 | 5637 | 5683 | 7114 | 7009 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2429 | 2369 | 2396 | 2452 | 2722 | 2698 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6507 | 6430 | 6481 | 6465 | 8341 | 8153 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4287 | 4265 | 4256 | 4287 | 5695 | 5667 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 46.0 | 48.5 | 48.6 | 48.1 | 41.0 | 41.4 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 52.4 | 55.3 | 55.5 | 55.0 | 47.8 | 48.2 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс | 113.4 | 109.4 | 114.3 | 113.2 | 101.2 | 102.3 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс | 130.7 | 127.9 | 131.7 | 130.3 | 118.7 | 119.8 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 76.1 | 76.4 | 76.7 | 75.5 | 63.5 | 64.2 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 95.1 | 95.1 | 95.5 | 94.1 | 82.5 | 83.4 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 114.2 | 110.4 | 115.0 | 113.8 | 101.8 | 102.7 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс (без аппаратной предвыборки) | 134.3 | 129.7 | 134.4 | 133.2 | 119.5 | 120.9 |
*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ
Минимальные значения таймингов, достижимые для обоих видов модулей в режиме DDR2-533 на большинстве материнских плат 3-4-4, являются весьма умеренными, особенно если учесть, что исследуемые модули рассчитаны на режим DDR2-667. Кроме того, на материнской плате MSI 925X Neo (стенд №2) как 256-МБ, так и 512-МБ модули позволили выставить схему таймингов 3-3-4, что незамедлительно сказалось на снижении латентности случайного доступа примерно на 5 нс относительно значений, полученных на других материнских платах при прочих равных условиях (стенды №1, №3 и №4). Итоги
Протестированные образцы 256-МБ и 512-МБ модулей памяти Samsung DDR2-667 обладают хорошей совместимостью с использованными моделями материнских плат на чипсетах i925X и i925XE, хорошей производительностью (величины ПСП и латентностей типичны для высокопроизводительных модулей, функционирующих в режиме DDR2-533) и умеренным «разгонным потенциалом» по таймингам (функционируют при уменьшении величины tCL на единицу относительно номинала на всех системных платах, принявших участие в исследовании). Кроме того, нельзя не отметить тщательный и пунктуальный подход производителя к маркировкам модулей, микросхем и содержимому микросхемы SPD модулей, что создает образ высокого качества продукции.